俄歇电子能谱（AES）

原理：聚焦的高能电子束（通常1–10 kV）轰击样品表面，将原子内层电子击出形成空穴，外层电子跃迁填充空穴时释放多余能量，此能量可激发另一外层电子脱离原子成为自由电子，即俄歇电子。俄歇电子的动能由原子能级结构决定，与元素种类一一对应，且其逸出深度极浅（约0.5–3 nm），仅携带最表层数原子层的成分信息。通过电子能量分析器检测俄歇电子动能谱，可定性定量分析表面元素组成；结合聚焦束斑扫描，可获得元素面分布图像。

分析对象：导体与半导体材料的表面（含薄膜、涂层、金属、合金、半导体器件、纳米材料）；绝缘体样品需特殊处理或电荷中和方可测量。可检测元素范围Li–U（氢、氦除外），对轻元素（如C、N、O）灵敏度高。

应用领域：半导体与微电子（芯片表面污染分析、栅氧化层成分、接触界面扩散）；材料科学（合金偏析与晶界富集、表面钝化膜分析、失效断裂起源）；薄膜与涂层技术（膜厚估算、层间界面成分锐度、掺杂分布）；催化与能源（催化剂表面活性组分、电极表面反应产物表征）；腐蚀科学（点蚀初期、氧化膜成分深度剖析）。