FIB聚焦离子束电镜_成都现场_云现场测试
简介
聚焦离子束（focused ion beam, FIB）技术是在电场和磁场的作用下，将离子束聚焦到亚微米甚至纳米量级，通过偏转和加速系统控制离子束扫描运动，实现微纳图形的监测分析和微纳结构的无掩模加工。
可提供的服务：
1.
TEM透射样品制备
：针对表面薄膜、涂层、粉末大颗粒、块体等样品，在指定位置准确定位切割制备TEM样品；
2.
SEM/EDS剖面分析
：FIB准确定位切割，制备截面样品，进行SEM和EDS能谱分析；
3.
微纳结构加工
：在微纳结构操作机械手、Omniprobe操作探针、离子束切割等的配合下，进行各种微纳结构的搬运，以及各种显微结构形状或图案的加工。
以下是改写内容：
聚焦离子束（Focused Ion Beam, FIB）技术利用电场和磁场将离子束聚焦至亚微米甚至纳米量级，通过偏转和加速系统精确控制离子束的扫描运动，从而实现对微纳图形的监测分析以及微纳结构的无掩模加工。
本平台提供以下专业服务：
1. TEM透射样品制备：针对表面薄膜、涂层、粉末大颗粒及块体等多种类型的样品，在指定位置进行准确定位切割，制备高质量的透射电子显微镜（TEM）样品。
2. SEM/EDS剖面分析：利用FIB进行精准的定位切割以制备截面样品，进而开展扫描电子显微镜（SEM）形貌观察与能量色散X射线光谱（EDS）能谱分析。
3. 微纳结构加工：依托微纳结构操作机械手、Omniprobe操作探针及离子束切割技术的协同配合，实现各类微纳结构的精准搬运，以及特定显微结构形状或图案的定制化加工。
案例
常见问题
1、
FIB可以做什么？
（1）FIB-SEM：FIB制备微纳米级样品截面，进行SEM和能谱测试。感兴趣区域尺度要求200nm-30μm，通常切样面宽度不超过10μm。
（2）FIB-TEM：FIB制备满足透射电镜的 TEM截面样品。样品包括：薄膜、块体样品，微米级颗粒。样品种类：陶瓷、金属等。
2、
FIB制样可能引入的杂质？
W、C、Pt和Ga，其中W、C和Pt是为了保护减薄区域，Ga是离子源。如果样品不导电可能喷Au或者喷Pt，从而引入这两种元素。
3、
FIB样品为什么需要导电？
样品是在SEM电镜下进行操作，需要清晰地观察到样品的形貌，否则无法精准制样。
4、
FIB-TEM的制样流程是 ?
(1）找到目标位置（定位非常重要），表面喷Pt、W或C进行保护目标区域；
(2）将目标位置前后两侧的样品挖空，剩下目标区域后进行U-cut；
(3）通过纳米机械手将这个薄片取出，将样品焊到铜网上的样品柱上；
(4）减薄到理想厚度后停止。
以下是改写内容：
1. FIB（聚焦离子束）的主要应用方向
（1）FIB-SEM：利用FIB制备微纳米级样品截面，随后进行SEM（扫描电子显微镜）形貌观察及能谱（EDS）成分分析。对于感兴趣区域（ROI）的尺度要求为200nm至30μm，通常切样面的宽度不超过10μm。
（2）FIB-TEM：利用FIB制备符合透射电镜（TEM）观察要求的截面薄片样品。适用样品包括薄膜、块体样品及微米级颗粒；适用材料涵盖陶瓷、金属等多种材质。
2. FIB制样过程中可能引入的杂质元素
在制样过程中可能会引入W（钨）、C（碳）、Pt（铂）和Ga（镓）。其中，W、C和Pt主要用于在减薄前对目标区域进行保护覆盖；Ga则来源于离子源。若样品本身不导电，在制样前可能需要喷镀Au（金）或Pt（铂）以增强导电性，从而引入相应的元素。
3. FIB样品对导电性的要求
FIB的操作是在SEM电镜环境下进行的。样品必须具备良好的导电性，以避免电荷积累导致图像畸变，确保能够清晰地观察到样品形貌，从而实现精准的定位与制样。
4. FIB-TEM样品的制备流程
（1）目标定位与保护：精准寻找目标区域（定位是制样的关键），并在表面喷镀Pt、W或C，以保护目标区域免受离子束损伤。
（2）粗切与U-cut：将目标区域前后两侧的样品材质挖空，在保留目标区域的基础上进行U-cut（U型切割），形成薄片预制体。
（3）转移与焊接：利用纳米机械手（NanoManipulator）将薄片取出，并将其焊接至铜网上的样品柱（Post）上。
（4）精细减薄：对薄片进行进一步减薄，直至达到理想的透射厚度后停止。