动态二次离子质谱仪（D-SIMS）
简介
原理机制：以气体等离子源为一次离子束，轰击样品表面，通过物理溅射作用激发出样品表层的原子、分子及离子碎片；这些被释放的二次离子经质量分析器按质荷比（m/z）分离并检测，生成二次离子质谱。
分析对象：主要针对固体材料表层至亚表层（深度可达5–10 μm）的元素及其同位素，并在纵向剥蚀过程中实现元素信号的连续实时监测。
应用领域：适用于半导体掺杂浓度分布、薄膜界面成分梯度、金属材料微区杂质剖析等需要高深度分辨率与低检出限的深度剖面分析场景。其典型分析微区为100–300 μm见方，分析面积与溅射速率呈反比。