RIE反应离子刻蚀_干法腐蚀

RIE（Reactive Ion Etching）反应离子刻蚀是一种具有强各向异性和高选择性的干法刻蚀技术。

该技术在真空环境下利用分子气体的等离子体进行刻蚀，通过离子诱导的化学反应实现各向异性刻蚀。其作用机制在于：利用离子的能量在被刻蚀层表面形成易于刻蚀的损伤层，从而促进化学反应的进行；同时，离子能够有效清除表面的反应生成物，使刻蚀表面保持清洁。

RIE 主要用于硅 (Si)、二氧化硅 (SiO2)、氮化硅 (SiNx) 等半导体材料，以及聚合物和金属的刻蚀，并可用于光刻胶的去除。该技术被广泛应用于物理、生物、化学、材料及电子等多个专业领域。