聚焦离子束（FIB）电镜测试
简介
聚焦离子束（Focused Ion Beam, FIB）技术利用电场与磁场将离子束聚焦至亚微米乃至纳米量级，通过精确的偏转与加速系统控制离子束的扫描运动，从而实现对微纳图形的监测分析以及微纳结构的无掩模加工。
可提供的服务包括：
1. TEM透射样品制备：针对表面薄膜、涂层、大颗粒粉末及块体等各类样品，可在指定位置进行精准定位切割，制备符合透射电子显微镜（TEM）观察要求的薄片样品。
2. SEM/EDS剖面分析：利用FIB技术在目标区域进行精准切割以制备截面样品，进而开展扫描电子显微镜（SEM）形貌观察及能量色散X射线光谱（EDS）能谱分析。
3. 微纳结构加工：结合微纳结构操作机械手、Omniprobe探针以及离子束切割技术，实现微纳结构的精准搬运，并可根据需求加工特定的显微结构形状或图案。
常见问题
1、
FIB可以做什么？
（1）FIB-SEM：FIB制备微纳米级样品截面，进行SEM和能谱测试。感兴趣区域尺度要求200nm-30μm，通常切样面宽度不超过10μm。
（2）FIB-TEM：FIB制备满足透射电镜的 TEM截面样品。样品包括：薄膜、块体样品，微米级颗粒。样品种类：陶瓷、金属等。
2、
FIB制样可能引入的杂质？
W、C、Pt和Ga，其中W、C和Pt是为了保护减薄区域，Ga是离子源。如果样品不导电可能喷Au或者喷Pt，从而引入这两种元素。
3、
FIB样品为什么需要导电？
样品是在SEM电镜下进行操作，需要清晰地观察到样品的形貌，否则无法精准制样。
4、
FIB-TEM的制样流程是 ?
(1）找到目标位置（定位非常重要），表面喷Pt、W或C进行保护目标区域；
(2）将目标位置前后两侧的样品挖空，剩下目标区域后进行U-cut；
(3）通过纳米机械手将这个薄片取出，将样品焊到铜网上的样品柱上；
(4）减薄到理想厚度后停止。
以下是改写内容：
**1. 聚焦离子束（FIB）的主要应用**
（1）FIB-SEM：用于制备微纳米级样品截面，以进行扫描电子显微镜（SEM）观察及能谱分析（EDS）。目标感兴趣区域（ROI）的尺度要求在 200nm 至 30μm 之间，通常切样面的宽度不超过 10μm。
（2）FIB-TEM：用于制备符合透射电子显微镜（TEM）观察要求的截面样品。适用样品类型包括薄膜、块体样品及微米级颗粒；适用材料涵盖陶瓷、金属等。
**2. FIB制样过程中可能引入的杂质**
在制样过程中可能会引入 W、C、Pt 和 Ga 等元素。其中，W（钨）、C（碳）和 Pt（铂）主要用于保护待减薄区域；Ga（镓）则来源于离子源。若样品本身不导电，需通过喷 Au（金）或喷 Pt（铂）进行导电处理，从而引入相应的元素。
**3. FIB制样对样品导电性的要求**
由于FIB制样是在SEM电镜环境下进行的操作，样品必须具备良好的导电性，以确保能够清晰地观察到样品形貌，从而实现精准的定位与制样。
**4. FIB-TEM的制样流程**
（1）定位与保护：精准寻找目标位置（定位至关重要），并在目标区域表面喷镀 Pt、W 或 C 以保护目标区域。
（2）粗铣与切取：将目标位置的前后两侧样品挖空，在保留目标区域后进行 U-cut 切取。
（3）转移与焊接：利用纳米机械手（Nano-manipulator）将薄片取出，并将其焊接至铜网的样品柱上。
（4）精细减薄：对样品进行减薄处理，直至达到理想厚度后停止。