原子层沉积（ALD）技术_薄膜沉积

原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是一种基于化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）的高精度薄膜沉积技术。该技术通过化学气相反应，将材料以单原子层为单位逐层沉积在衬底表面。在工艺过程中，包含被沉积材料不同元素的两种或多种前体化学品被依次引入衬底表面；每种前体与表面发生反应直至达到饱和，从而实现单层材料的精确生长。

**问：什么是原子层沉积（ALD）？**

答：原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是一种基于化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）的高精度薄膜沉积技术。该技术通过将材料以单原子层（Monolayer）的形式，在衬底表面进行逐层沉积。在工艺过程中，两种或多种包含目标沉积材料不同元素的前驱体（Precursor）化学品被依次引入衬底表面；每种前驱体在表面反应至饱和状态，从而实现单层材料的精确生长。